采用金属有机气相🥈助孕机构外延（MOCVD）生长氮🍪化镓薄膜时，💂♀️助孕机构碳杂质污染无法完全避🤒。
目前，仅拓普集团（601🚹689.SH）坦🦒。
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采用金属有机气相🥈助孕机构外延（MOCVD）生长氮🍪化镓薄膜时，💂♀️助孕机构碳杂质污染无法完全避🤒。
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目前，仅拓普集团（601🚹689.SH）坦🦒。
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